金融风暴来袭 存储器市场遭殃

“受全球经济波及首当其冲的是DRAM和闪存，”专业存储器制造商ISSI公司副总裁浦汉沪在接受采访时说道。“闪存的市场表现与消费类电子市场联动，经济危机爆发后消费者手中购买消费类电子的余钱吃紧，闪存未来的市场前景堪虞。而DRAM出货主要依赖PC市场。尽管2008上半年度PC市场并没有随经济滑坡影响，但是各国经济需要3~5年时间才能恢复，在这段漫长的恢复期PC市场的盈利能力有待观察。而2008年9月起PC市场已经略显疲态，部分PC厂商开始减低生产目标，以应对可能出现的需求淡季。”

美国政府、欧盟纷纷出手拯救金融危机，但是纾困之法效力如何还有待观察。浦汉沪表示，且不论政府救市的行为有多少成效，政府先挽救的必定是金融支柱银行业，半导体行业必须凭借自身力量走出困境。以企业类型来看，规模庞大的IDM在此次剧烈经济动荡中蕴藏巨大风险。占据全球半导体产值半壁江山的IDM从IC设计制造到封装，容易形成“一荣俱荣，一损俱损”的局面，因此2009年对于IDM厂商而言将是形势严峻的一年。

次贷风暴的另一个潜在影响是阻塞或切断了企业生存和发展的资金流。目前，世界上很多企业的生存和发展依赖于银行，金融机构提供短期借贷资金，然而目前银行紧缩银根已经严重影响了资金流的运作，即使一些很有发展前途的企业也会因此而运作困难。

近期存储业也显露出市场波动的征兆。美光收购奇梦达为内存市场的淘汰赛鸣枪，非易失性存储器技术之父Atmel也收到了Microchip和安森美的联合收购要约，金融危机引发的股市暴跌让价格刚刚“回暖”的内存市场再次进入有史以来最寒冷的严冬。为安然度过此次危机，各存储公司不得不选择抱团过冬。“能否挺过未来3～6个月，对于存储业是一大考验，”浦汉沪分析存储业未来市场秩序时谈到。“一些处于困境中的企业将面临倒闭、兼并，而另一些鲸吞对手的公司能否短期内重新调整市场策略、有效整合技术以及客户资源，直接决定能否获得1+1大于2的经济效益。”内存厂商的存亡之战已经打响，胜负半年内将见分晓。

无论存储公司继续挣扎于微利的市场还是走上兼并对手之路，浦汉沪认为未来存储产品跌价势在必行。半导体行业整体不景气，市场供大于求，存储产品库存在十周以上，而正常库存水平为4周左右。三星、海力士、力晶频频传出减产消息，以平衡市场供需的手段遏制价格跳水。存储厂商之间的合并可显著加强自身能力之外，还悄然消灭对手于无形。存储市场一直陷于产能过剩的局面，只有一部分厂商退出市场才会将有助于存储产品价格的止跌企稳。

谋求多元化发展 跳脱存储泥沼

存储业投资庞大，素有“烧钱火坑”之称，建厂资金动辄数十亿美元，投入前期就受累于高额设备折旧费，而产品盈利状况充满变数，目前纯存储厂商奇梦达、Spansion尚未走出亏损期。存储市场竞争白热化，利润空间日益稀薄，相比之下，模拟类产品厂商的毛利率高达50%以上，获利轻松。“我们希望踏入与存储有关的模拟应用领域，开发逻辑、模拟与混合信号市场，跳脱纯存储厂商的窠臼，走上多元化产品之路。”浦汉沪在描绘ISSI发展蓝图时谈到。“由于EEPROM的技术可以运用在智能卡存储芯片设计上，我们可以携存储领域的优势顺利切入智能卡市场，因此EEPROM以及智能卡是我们下一阶段重点发展的产品线。”目前，ISSI在上海设有EEPROM、智能卡研发团队。过去几年中，该公司EEPROM、智能卡业务以两位数速度增长，从2年前300万美元规模一举跃升为2,000多万美元，占2008年公司收入10%以上，2009年将继续扩大EEPROM、智能卡在公司业务的比重。

EEPROM的技术已被广泛运用于智能卡市场，而政府发起的更换二代身份证将智能卡市场推向欣欣向荣，另外，诸如交通卡、社保卡、智能抄表系统等智能卡应用遭受经济衰退的影响轻微，日常智能卡的使用需求始终存在，因而市场相对稳定。

ISSI的EEPROM产品与目前常用的三种标准串行总线类型兼容，包括I2C、Microwire和SPI。“供应商是否能提供全系列EEPROM产品对电子制造商而言至关重要。”浦汉沪指出。制造商产品不断向前发展，希望供应商的EEPROM产品同样具有成长性，这样，制造商在产品更新换代时可以无须寻找不同的供应商、更强的产品。

除此以外，浦汉沪特别指出汽车电子是一大潜在市场，汽车上MCU的平均装载量已经在30~100颗之间，搭配MCU工作的EEPROM用量也随之加大。“我们凭借SRAM已成为德尔福、大陆博世、Denso等全球知名汽车电子方案供应商的认可厂商，为EEPROM进入汽车领域创造了入门的机会。”

EEPROM的平均单价约10美分，目前业界普遍认为这是一个低价跑量的市场。“价格比拼、海量倾销战术不是EEPROM的发展方向，”浦汉沪并不认同EEPROM低价求生存的观点。“含有特殊功能、混合特殊技术的集成之路，才是EEPROM的真正出路。”以EEPROM在DDR中的应用为例，DDR2散热控制件结构为一个传感器和EEPROM，通过传感器感应温度变化从而调用EEPROM内的指令启动风扇运作；而新一代DDR3的散热结构要求传感器和EEPROM集成为一个器件。EEPROM是逻辑器件，温度传感器是模拟器件，这两种器件的结合牵涉到将两种技术相融合。目前，ISSI正在研发相关产品，浦汉沪对集成EEPROM产品的市场前景充满了信心。